دیتاشیت BSC079N10NS G
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
BSC079N10NS G
|
حجم فایل |
58.754
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
10
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies BSC079N10NS G
-
Power Dissipation (Pd):
156W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Continuous Drain Current (Id):
13.4A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@110uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
7.9mΩ@10V,50A
-
Package:
TDSON-8(6x5)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies